| 发明名称 | 具有抑制特性偏移的结构的薄膜晶体管面板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管面板包括：基板(1)；薄膜晶体管(3)，形成在基板(1)上，具有栅电极(6)、栅绝缘膜(7)、半导体薄膜(8)、在半导体薄膜(8)上形成的一对欧姆接触层(10、11)、以及在各欧姆接触层(10、11)上形成的源电极(12)和漏电极(13)，半导体薄膜(8)在源电极(12)和漏电极(13)之间具有沟道区域；像素电极(2)，与薄膜晶体管(3)的源电极(12)连接；以及第一和第二导电性被覆膜(14、15)，设置在源电极(12)侧和漏电极(13)侧的上部，由与像素电极(2)相同的材料形成；第一导电性被覆膜(14)的宽度比源电极(12)的宽度宽，第二导电性被覆膜(15)的宽度比漏电极(13)的宽度宽。 | ||
| 申请公布号 | CN1971919A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200610171869.8 | 申请日期 | 2006.10.20 |
| 申请人 | 卡西欧计算机株式会社 | 发明人 | 石井裕满 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);G02F1/1362(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈英俊 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管面板，包括：基板(1)；薄膜晶体管(3)，形成在所述基板(1)上，具有栅电极(6)、栅绝缘膜(7)、半导体薄膜(8)、在所述半导体薄膜(8)上形成的一对欧姆接触层(10、11)、以及在所述各欧姆接触层(10、11)上形成的源电极(12)和漏电极(13)，所述半导体薄膜(8)在所述源电极(12)和所述漏电极(13)之间具有沟道区域；像素电极(2)，与所述薄膜晶体管(3)的所述源电极(12)连接；以及第一和第二导电性被覆膜(14、15)，设置在所述源电极(12)侧和所述漏电极(13)侧的上部，由与所述像素电极(2)相同的材料形成；所述第一导电性被覆膜(14)的宽度比所述源电极(12)的宽度宽，所述第二导电性被覆膜(15)的宽度比所述漏电极(13)的宽度宽。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||