半导体工艺中温度测定的方法

摘要

本发明公开了一种半导体工艺中温度测定的方法，首先在硅片上淀积一层钛层和一层铝合金层，然后用光刻的方法制作出金属线条和大块金属，并测定金属线条的电阻，再将使硅片完成正常的生产工艺，之后再次测定金属线条的电阻，通过比较两次电阻值的变化，得到生产工艺流程中的温度。本发明与现有的温度监控方法比较，可以实时精确地测定在250℃到550℃温度范围之间的实际工艺温度及其均匀性，而不是以静态温度设定推算，采用的材料在半导体工艺中也最为常见，因此成本低廉，简便易行。

主权项

1.半导体工艺中温度测定的方法，其特征在于，依次包括如下步骤：(1)在半导体硅片表面淀积一层氧化层；(2)在硅片上以小于150℃的温度下淀积一层钛，然后在钛层之上以小于150℃的温度淀积一层铝合金；(3)用光刻工艺定义金属线条以及线条引出的大块金属，然后制作出金属线条图形和大块金属；(4)用探针台测定金属线条初始电阻并记录；(5)将硅片放到设备上完成与实际工艺相同的过程；(6)再一次用探针台测定金属线条的电阻，比较初始值，得出实际制作时的温度和温度场分布。