制造快闪存储器件的方法

摘要

一种制造快闪存储器件的方法，包括下列步骤：在半导体基片的一个区上层压隧道氧化物膜和第一多晶硅层，并且在隧道氧化物膜和第一多晶硅层之间形成与第一多晶硅层有一台阶的隔离膜；在所述隔离膜的侧壁上形成绝缘膜间隔物，并且然后在整个结构上沉积第二多晶硅层；并且，使用掩模以斜坡蚀刻所述第二多晶硅层，从而形成浮栅，并且然后在整个结构上形成导电层，其中所述第二多晶硅层被蚀刻直到所述隧道氧化物膜。所述绝缘膜间隔物形成在所述隔离膜的侧壁上，使得它们当所述浮栅被蚀刻时充当阻挡。所述浮栅的蚀刻深度可以深地形成，使得有可能减少单元间干扰现象。

主权项

1.一种制造快闪存储器件的方法，该方法包括下列步骤：在半导体基片的一个区上层压隧道氧化物膜和第一多晶硅层，并且在隧道氧化物膜和第一多晶硅层之间形成与第一多晶硅层有一台阶的隔离膜；在所述隔离膜的侧壁上形成绝缘膜间隔物，并且然后在整个结构上沉积第二多晶硅层；并且使用掩模以斜坡蚀刻所述第二多晶硅层，从而形成浮栅，并且然后在整个结构上形成导电层，其中所述第二多晶硅层被蚀刻直到所述隧道氧化物膜。