发光二极管组件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种发光二极管组件及其制造方法，系先于一基板表面形成具有斜面之氮化镓混成厚膜，利用氮化镓磊晶的特性自然形成磊晶斜面，再于氮化镓混成厚膜上成长发光二极管结构以形成发光二极管组件，可有效简化其制造过程；本发明系应用氮化镓之厚膜磊晶特性来制作各种具多边斜面与不同结构的发光二极管组件晶粒，由于晶粒出光的表面积增大，而且多边斜面减少内部全反射的机率，此发光二极管组件较知氮化镓发光二极管组件具有较佳发光效率。

主权项

1.一种发光二极管组件制造方法，其步骤包含有：提供一基板；于基板表面形成用以提供选择性磊晶生长之一的图样；以磊晶生长法于该基板表面的该图样形成具有斜面之氮化镓混成厚膜，是利用氮化镓磊晶的特性自然形成斜面，该具有斜面的氮化镓混成厚膜之上表面为平面且上表面积大小适合组件使用；于该氮化镓混成厚膜上表面形成发光二极管结构，该发光二极管结构系结合n型氮化镓系列III-V族化合物层和p型氮化镓系列III-V族化合物层，该p型氮化镓系列III-V族化合物层系与p型低电阻欧姆接触电极电性连接，该n型氮化镓系列III-V族化合物层系与n型低电阻欧姆接触电极电性连接，以提供顺向偏压。