形成阻障层的方法与结构

摘要

一种形成阻障层的方法，首先在一晶片的一金属层上方制作完成一双镶嵌结构，其中双镶嵌结构包含一第一介电层与一第二介电层，第一介电层中包含一孔洞，第二介电层中包含一沟槽，接着形成一第一钽金属层在该双镶嵌结构上方，然后形成一氮化钽层在第一钽金属层上，将第一介电层内的孔洞底部上方的氮化钽层以一离子溅击方式去除，而被击出的氮化钽层中的钽原子将沉积至第一介电层内的孔洞的侧壁，最后在该氮化钽层上方形成一第二钽金属层，其中在第一介电层内孔洞的底部上方仅存第一钽金属层与第二钽金属层，制作完成后的阻障层将在第一介电层内的孔洞底部具有较低的电阻率与完全阻挡铜金属原子扩散至介电层的能力。

主权项

1.一种形成阻障层的方法，包含：提供一导体层，该导体层上具有一第一介电层，且该第一介电层内具有一孔洞；形成一第一金属层于该介电层及该导体层上；形成一氮化钽层于该第一金属层上；离子撞击位于该孔洞的一底部的该氮化钽层，使得被击出的该氮化钽层中的金属原子沉积于该孔洞的一侧壁，以使在该空洞的该底部不具有该氮化钽层；以及形成一第二金属层于该氮化钽层上。