实时抛光工艺监视

摘要

一种用于就地监视抛光工艺及其他材料移除工艺的技术使用嵌入晶片载体中的石英晶体纳米天平(225)。自晶片移除的材料沉积于该晶体的表面上。由此引起的该晶体的频率漂移指示了经移除的材料的量，从而允许判定瞬时移除速率以及工艺终点。该石英晶体纳米天平(225)上的沉积可由所施加的偏压控制。可使用多个石英晶体纳米天平。在本发明的另一实施例中，该石英晶体纳米天平用于在抛光工艺期间侦测诸如划伤的缺陷导致事件。

主权项

1.一种用于监视抛光工艺的方法，其包含以下步骤：(a)关于单元内的目标表面执行抛光工艺，由此目标材料自所述目标表面被移除；(b)在抛光工艺期间，将经移除的目标材料的至少一部分收集于所述单元内的共振体的表面上，所述共振体具有共振频率，由此变更所述共振体的共振频率；及(c)在监视程序期间判定所述共振频率的值。