| 发明名称 | 非挥发性存储器及其制造方法与操作方法 | ||
| 摘要 | 一种非挥发性存储器设置于第一导电型基底上，其具有栅极、第二导电型漏极区、电荷储存层以及第二导电型第一淡掺杂区。栅极设置于第一导电型基底上。第二导电型漏极区设置于栅极的第一侧的第一导电型基底中。电荷储存层设置于栅极的第一侧的第一导电型基底上，且位于第二导电型漏极区与栅极之间。第二导电型第一淡掺杂区设置于栅极的第二侧的第一导电型基底中，其中第二侧与第一侧相对。 | ||
| 申请公布号 | CN1967879A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200610142554.0 | 申请日期 | 2006.10.30 |
| 申请人 | 力旺电子股份有限公司 | 发明人 | 王世辰;陈信铭;卢俊宏;何明洲;沈士杰;徐清祥 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L29/792(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种非挥发性存储器，包括：第一存储单元，设置于第一导电型基底，该第一存储单元包括：栅极，设置于该第一导电型基底上，第二导电型漏极区，设置于该栅极的第一侧的该第一导电型基底中；电荷储存层，设置于该栅极的该第一侧的该第一导电型基底上，且位于该第二导电型漏极区与该栅极之间；以及第二导电型第一淡掺杂区，设置于该栅极的第二侧的该第一导电型基底中，该第二侧与该第一侧相对。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||