| 发明名称 | 具有隔离区上擦除栅的非易失性存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种非易失性存储器器件及这种器件的制造方法。该器件包括浮栅(16)、控制栅(19)和分离的擦除栅(10)。擦除栅(10)被提供于设于衬底(1)内的隔离区(2)内或上。因此，擦除栅(10)不增加单元尺寸。与控制栅(19)和浮栅(16)之间的电容相比，擦除栅(10)和浮栅(16)之间的电容小，且荷电的浮栅(16)通过福勒－诺德海姆隧穿穿过擦除栅(10)和浮栅(16)之间的氧化物层而被擦除。 | ||
| 申请公布号 | CN1969392A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200580019839.9 | 申请日期 | 2005.06.03 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | R·T·F·范谢克;M·J·范杜伦 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：具有衬底表面的衬底(1)；所述衬底表面内的至少两个隔离区(2，33)，所述隔离区(2，33)具有远离所述衬底(1)的外表面；浮栅(16)，在所述两个隔离区(2，33)之间并且至少部分与所述两个隔离区(2，33)交叠地在所述衬底(1)上延伸；擦除栅(10，36)；以及位于所述浮栅(16)上的控制栅(19)，其中所述擦除栅(10，36)形成于所述隔离区(2)之一的外表面上。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||