Electrically programmable memory cell arrangement and process for making the same

摘要

Eine elektrisch programmierbare Speicherzellenanordnung umfaßt eine Vielzahl einzelner Speicherzellen, die jeweils einen MOS-Transistor mit einem Gatedielektrikum mit Haftstellen umfassen und die in parallel verlaufenden Zeilen angeordnet sind. Benachbarten Zeilen verlaufen dabei jeweils abwechselnd am Boden von Längsgräben (5) und zwischen benachbarten Längsgräben (5) und sind gegeneinander isoliert. Die Speicherzellenanordnung ist durch selbstjustierende Prozeßschritte mit einem Flächenbedarf pro Speicherzelle von 2 F<2> (F: minimale Strukturgröße) herstellbar. <IMAGE>