| 主权项 |
1.一种移位暂存器,包括: 至少一移位暂存单元,至少包括: 一输入端; 一输入单元,用以依据一第一时脉信号,经由该输 入端接收一输入信号,并输出一切换控制信号; 一输出端; 至少一第一薄膜电晶体,其闸极耦接至该输入单元 ,用以接收该切换控制信号,其源极耦接至该输出 端,以及其汲极系用以接收一第二时脉信号;以及 至少一第二薄膜电晶体,其汲极与闸极系与该输出 端耦接,其源极耦接该输入单元。 2.如申请专利范围第1项所述之移位暂存器,其中该 第一时脉信号与该第二时脉信号系互为反相。 3.如申请专利范围第1项所述之移位暂存器,其中该 至少一移位暂存单元更包括一第三薄膜电晶体,其 闸极系用以接收一第一控制信号,其汲极耦接该输 出端,以及其源极耦接一接地电源。 4.如申请专利范围第1项所述之移位暂存器,其中, 该输入单元包括: 一第四薄膜电晶体,其闸极接收该第一时脉信号之 闸极,以及其汲极接收该输入信号;以及 一第五薄膜电晶体,其闸极接收该第一时脉信号, 其汲极耦接该第四薄膜电晶体之源极,以及其源极 耦接该第一薄膜电晶体之闸极。 5.如申请专利范围第4项所述之移位暂存器,其中该 第四薄膜电晶体以及该第五薄膜电晶体系为P型, 而该第一薄膜电晶体系为N型,且该第一时脉信号 以及该第二时脉信号系为同相。 6.如申请专利范围第4项所述之移位暂存器,其中该 第二薄膜电晶体之源极系与该第四薄膜电晶体之 源极以及该第五薄膜电晶体之汲极耦接。 7.如申请专利范围第6项所述之移位暂存器,其中该 至少一移位暂存单元更包括一第三薄膜电晶体,其 闸极系用以接收一第一控制信号,其汲极耦接该输 出端,以及其源极耦接一接地电源。 8.如申请专利范围第1项所述之移位暂存器,其中, 该输入单元包括: 一第四薄膜电晶体,其闸极与汲极均耦接该输入端 以接收该输入信号; 一第五薄膜电晶体,其闸极接收该第一时脉信号, 其汲极耦接该第四薄膜电晶体之源极,以及其汲极 耦接该第一薄膜电晶体之闸极; 一第六薄膜电晶体,其闸极接收一第二控制信号, 其汲极耦接该第一薄膜电晶体之闸极,以及其源极 耦接该第二薄膜电晶体之源极;以及 一第七薄膜电晶体,其闸极接收该第二控制信号之 闸极,其汲极耦接该第六薄膜电晶体之源极,以及 其源极耦接该接地电源。 9.一种显示面板,包含如申请专利范围第1项所述之 移位暂存器。 10.一种改善漏电流之方法,适用于一移位暂存器, 其中该移位暂存器具有连续耦接之复数移位暂存 单元,每一该移位暂存单元包括一输入端及一输出 端,该方法包括: 接收一输入信号; 根据一第一时脉信号将该输入信号转换为一切换 控制信号; 根据该切换控制信号以传送一第二时脉信号至该 输出端;以及 根据该第二时脉信号以维持该切换控制信号之状 态。 11.如申请专利范围第10项之改善漏电流之方法,其 中,该第二时脉信号传送至该输出端用以作为该移 位暂存单元之一输出信号。 12.如申请专利范围第11项之改善漏电流之方法,更 包括根据一第一控制讯号以调整该输出信号至一 低逻辑位准状态。 13.如申请专利范围第10项之改善漏电流之方法,其 中根据该第二时脉信号以维持该切换控制信号之 状态之步骤包括根据一第二控制信号以调整该切 换控制信号至一低逻辑位准状态。 14.如申请专利范围第10项之改善漏电流之方法,其 中该第一时脉信号与该第二时脉信号系为同相。 15.如申请专利范围第10项之改善漏电流之方法,其 中该第一时脉信号与该第二时脉信号系为反相。 图式简单说明: 第1图表示习知液晶显示面板之示意图。 第2图表示习知移位暂存器。 第3图表示习知移位暂存单元之操作时序图。 第4图表示本发明之移位暂存器。 第5图表示本发明之移位暂存单元之操作时序图。 第6图表示本发明第一实施例之移位暂存单元之详 细电路图。 第7图表示本发明第二实施例之移位暂存单元之详 细电路图。 第8图表示本发明第二实施例之操作时序图。 第9图表示本发明之液晶显示面板示意图。 |
