奈米碳管场发射体及其制备方法

摘要

本发明涉及一种奈米碳管场发射体及其制备方法，该制备方法包括步骤：提供一奈米碳管阵列，其生长于一基体上，该奈米碳管阵列包括与基体接触之根部及相对远离基体之顶部；提供一阴极基底，其包括基底本体及形成于基底本体上之粘结剂层；将该奈米碳管阵列之顶部与粘结剂层接触，使奈米碳管阵列与阴极基底形成电接触；固化该粘结剂层，使该奈米碳管阵列与该阴极基底结合牢固；去除该基体以露出该奈米碳管阵列之根部，以获得一奈米碳管场发射体。本发明具有制备工艺简单、成本低，且制备之奈米碳管场发射体具有较佳场发射均匀性之特点。