发明名称 |
一种基于静态随机存储器的快速综合设计方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体存储器技术领域,特别是一种基于静态随机存储器SRAM的快速综合设计方法,操作步骤:首先,设计SRAM的结构以及晶体管级的电路;其次,先把电路分为重复单元与非重复单元两类,然后对这两类电路分别进行版图的绘制和验证,对于重复的单元只需要对最小的单元进行设计与验证即可;最后,采用综合的技术实现整个电路网表的整合,这个网表便是后仿真所需的电路网表。本发明减少了SRAM设计过程的重复性工作,它以SRAM电路中的重复电路为基本的可调用单元,并按照它们的连接顺序自动生成网表,用软件的形式来实现硬件设计,从而省却了大量的版图设计和验证的时间,大大提高工作效率,适合于大容量SRAM设计。 |
申请公布号 |
CN1316597C |
申请公布日期 |
2007.05.16 |
申请号 |
CN200410083804.9 |
申请日期 |
2004.10.18 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
张锋;周玉梅;黄令仪 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01);H01L21/8244(2006.01);H01L27/11(2006.01);G06F17/50(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1.一种基于静态随机存储器的快速综合设计方法,其特征在于,它共分三个操作步骤:首先,设计SRAM的结构以及晶体管级的电路;其次,对整个版图进行设计与验证,先把电路分为重复单元与非重复单元两类,然后对这两类电路分别进行版图的绘制和验证,对于重复的单元只需要对最小的单元进行设计与验证即可;最后,采用综合的技术实现整个电路网表的整合,这个网表是后仿真所需的电路网表。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北土城西路3号 |