| 发明名称 | 高能体供给装置、结晶性膜的形成方法和薄膜电子装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种稳定地制造高质量的熔融结晶化膜的高能体供给装置，示出了结晶性膜的形成方法。本发明的熔融结晶化不污染高能体供给装置，并可控制结晶化膜表面的重组情况。同时通过反射能量体的再次利用来提高高能体的利用效率。 | ||
| 申请公布号 | CN1316556C | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN02142620.1 | 申请日期 | 1997.01.30 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 阿部裕幸;宫坂光敏 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 1.一种结晶性膜的形成方法，该方法包括在基板上形成半导体薄膜的第一工序和对该半导体薄膜的至少表面层进行结晶化的第二工序，其特征在于：在该第二工序中，在包含含有该半导体薄膜的构成元素作为氢化物的气体和惰性气体的混合气体的环境气氛下，使该半导体薄膜的至少表面层熔融来进行结晶化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||