| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括具有第一晶向的第一半导体层，具有第二晶向的第二半导体层，位于第一半导体层之下的第一绝缘层，以及位于第二半导体层之下的第二绝缘层，其中，第二晶向不同于第一晶向。本发明所述半导体结构及其制造方法，使具有NMOS及PMOS晶体管的装置可形成在同一晶圆上，各自发挥其优异效能，而无需牺牲任一晶体管的操作性能，且可避免或减少这些装置彼此之间的干扰，进而简化制程、节省制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1964045A | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200610076515.5 | 申请日期 | 2006.04.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 庄强名;陈光鑫;吴忆鲁 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：一第一半导体层，具有一第一晶向；一第二半导体层，具有一第二晶向，该第二晶向不同于该第一晶向；一第一绝缘层，位于该第一半导体层之下；以及一第二绝缘层，位于该第二半导体层之下。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||