| 发明名称 | 半导体器件、基片、液晶显示器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造薄膜半导体器件的方法包括：在基层上形成非单晶半导体薄膜的步骤；以及用能量射束照射该非单晶半导体薄膜的退火步骤，以便提高构成该非单晶半导体薄膜的非单晶半导体的结晶度。该退火步骤包括用多个能量射束同时照射非单晶半导体薄膜，以便形成多个单元区域，每个单元区域包括至少一个由能量射束照射的照射区域以及至少一个并不由能量射束照射的非照射区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1963998A | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200610128085.7 | 申请日期 | 2003.04.14 |
| 申请人 | 株式会社液晶先端技术开发中心 | 发明人 | 木村嘉伸;松村正清;山元良高;西谷干彦;平松雅人;十文字正之;中野文树 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L27/02(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 刘炳胜 |
| 主权项 | 1.一种制造薄膜半导体器件基片的方法，包括：在基层上形成非单晶半导体薄膜的步骤；以及用能量射束照射该非单晶半导体薄膜的退火步骤，以便提高构成该非单晶半导体薄膜的非单晶半导体的结晶度，其中，退火步骤包括：用多个能量射束同时照射非单晶半导体薄膜，以便形成多个单元区域，各单元区域包括至少一个由能量射束照射的照射区域以及至少一个并不由能量射束照射的非照射区域。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||