| 主权项 |
1.一种制作圆柱形电容或鳍形电容于矽晶圆上时降低缺陷之方法,该矽晶圆具有一半导体底材及复数个电晶体形成于该底材之上,其中传导层及介电层形成于该矽晶圆上,该方法包含:形成一光阻层于该矽晶圆之周围上;除去该介电层以形成该电容之底部电极;以及除去位于该矽晶圆之周围上之该光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之光阻层包含一负光阻环。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成上述之光阻层于上述之矽晶圆之上述之周围包含:涂布一负光阻层于该整个矽晶圆上;曝光该负光阻层于该矽晶圆之该周围处;以及除去该未曝光之负光阻层于该矽晶圆之中央处以形成一负光阻环。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述之该矽晶圆之上述之周围包含一约3mm宽之环。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中除去上述之介电层系使用一湿式蚀刻制程。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中除去上述之介电层系为一氧化层。7.一种制作圆柱形电容或鳍形电容于矽晶圆上时降低缺陷之方法,该矽晶圆具有一半导体底材;复数个电晶体形成于该底材之上,其中传导层及介电层形成于该矽晶圆上,该方法包含:形成一负光阻层于该矽晶圆之周围上;曝光该负光阻层于该矽晶圆之该周围处;除去该未曝光之负光阻层于该矽晶圆之中央处以形成一负光阻环;除去该介电层以形成该电容之底部电极;以及除去位于该矽晶圆之周围上之该光阻层。8.一种制作圆柱形电容或鳍形电容于矽晶圆上时降低缺陷之方法,其中传导层及介电层形成于该矽晶圆上,该方法包含:形成一保护层于该矽晶圆之周围上;除去该介电层以形成该电容之底部电极;以及除去位于该矽晶圆之周围上之该保护层。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之保护层系为一负光阻层。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之保护层系为一正光阻层。图式简单说明:第一图至第七图所示为以传统制程制作一鳍形电容之各个阶段之剖面结构图。第八图至第十四图所示为以传统制程制作一圆柱形电容之各个阶段之剖面结构图。第十五图至第十六图所示为本发明方法形成一光阻层于一矽晶圆之周围上之侧视图。第十七图所示为本发明方法之各个阶段之流程图。第十八图至第二十七图所示为以本发明制程制作一鳍形电容之各个阶段之剖面结构图。第二十八图至第三十六图所示为以本发明制程制作一圆柱形电容之各个阶段之剖面结构图。 |
