于一半导体装置中形成一隔离膜之方法

摘要

本发明揭示一种于一半导体装置中形成一隔离膜之方法。在形成衬垫氧化膜与衬垫氮化膜之堆叠结构以将一半导体基板曝露于一隔离区域的程序中，在邻近该基板表面之该衬垫氧化膜与该衬垫氮化膜之底部侧壁上形成尾形突出部分，在蚀刻该基板时，使用该等突出部分当作抗蚀刻膜使一沟渠之顶角成圆形。因此，有可能防止电场集中于该沟渠顶角，抑制漏电之产生。因此，可改善该程序之可靠性及该装置的电气特性。