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1.一种用于制造半导体元件的方法,其包含下列步 骤: 于一基材表面上形成一第一绝缘薄膜,于该基材上 系形成有一半导体构件且具有一暴露于至少部分 基材表面上之传导性区域; 于该第一绝缘薄膜上形成一第一内层绝缘薄膜,其 中该第一内层绝缘薄膜包含一多孔性绝缘材料; 于该第一内层绝缘薄膜上形成一第二绝缘薄膜; 于该第二绝缘薄膜上形成一第三绝缘薄膜; 于该第三绝缘薄膜上形成一第二内层绝缘薄膜; 自第二内层绝缘薄膜之上表面至第三绝缘薄膜之 上表面处形成一布线渠沟且自布线渠沟之底部的 一部分至第一绝缘薄膜之上表面处形成一介层洞, 其中该介层洞系设置于相对于该传导性区域之一 部分的位置处,且该布线渠沟系藉于该第二内层绝 缘薄膜相对于该第三绝缘薄膜进行选择性蚀刻之 条件下蚀刻而形成; 藉于该第三绝缘薄膜相对于该第二绝缘薄膜选择 性地蚀刻之条件下,进行蚀刻制程而移除该暴露于 布线渠沟底部之第三绝缘薄膜与该暴露于介层洞 底部之第一绝缘薄膜;以及 于该介层洞与该布线渠沟内填充一包含有一传导 性材料之布线。 2.如申请专利范围第1项之制造半导体元件的方法, 其中该第一内层绝缘薄膜系包含多孔性二氧化矽, 该第一绝缘薄膜与该第三绝缘薄膜系各包含SiC与 SiN之一者,且该第二绝缘薄膜系包含SiO2。 3.如申请专利范围第1项之制造半导体元件的方法, 其中该形成布线渠沟与介层洞之步骤更包含下列 步骤: 自第二内层绝缘薄膜之上表面形成一凹槽,以蚀刻 该位于欲形成介层洞之位置处的第一内层绝缘薄 膜;以及 于部分相对于凹槽处之一位置处,形成一到达第三 绝缘薄膜之布线渠沟,且同时进一步使用第三绝缘 薄膜作为一罩幕以蚀刻凹槽底部,以形成该到达第 一绝缘薄膜之介层洞。 4.如申请专利范围第1项之制造半导体元件的方法, 其中该第二绝缘薄膜之介电常数系低于第三绝缘 薄膜之介电常数。 5.如申请专利范围第1项之制造半导体元件的方法, 其中该第三绝缘薄膜系比该第一绝缘薄膜更薄。 6.如申请专利范围第1项之制造半导体元件的方法, 其中该暴露于基材表面之传导性区域系包含一铜 布线。 7.一种半导体元件,其包含: 一设置于一基材表面上之第一绝缘薄膜,该基材具 有一暴露于其部分表面处之传导性区域; 一设置于该第一绝缘薄膜上之第一内层绝缘薄膜, 其中该第一内层绝缘薄膜包含一多孔性绝缘材料; 一设置于该第一内层绝缘薄膜上之第二绝缘薄膜; 一自该第二内层绝缘薄膜之上表面形成至该第一 绝缘薄膜之底面处的介层洞; 一第三绝缘薄膜,其设置于该第二绝缘薄膜上且具 有一不同于该第二绝缘薄膜之蚀刻电阻; 一第二内层绝缘薄膜,其设置于该第三绝缘薄膜上 且具有一不同于该第三绝缘薄膜之蚀刻电阻; 一布线渠沟,其设置于该第二内层绝缘薄膜之上表 面至该第二绝缘薄膜之上表面,且其连接至位于布 线渠沟之部分底部处之介层洞;以及 一布线部件,其包含一传导性材料且填充于介层洞 与布线渠沟中。 8.如申请专利范围第7项之半导体元件,其中该第一 内层绝缘薄膜包含多孔性二氧化矽,该第二绝缘薄 膜包含SiO2,且该第一绝缘薄膜与第三绝缘薄膜各 包含SiC或SiN。 9.如申请专利范围第7项之半导体元件,其中该第二 绝缘薄膜之介电常数系低于第三绝缘薄膜之介电 常数。 10.如申请专利范围第7项之半导体元件,其中该第 三绝缘薄膜系比该第一绝缘薄膜更薄。 11.如申请专利范围第7项之半导体元件,其中该暴 露于部分基材表面之传导性区域系包含一形成于 基材上之Cu布线。 12.一种制造半导体元件的方法,其包含下列步骤: 于一半导体基材之表面上形成一第一绝缘薄膜,其 包含一多孔性绝缘材料; 于该第一绝缘薄膜上形成一第一蚀刻停止薄膜,其 包含一绝缘材料; 于该第一蚀刻停止薄膜上形成一第二蚀刻停止薄 膜,该第二蚀刻停止薄膜系包含另一绝缘材料,其 具有一高于第一蚀刻停止薄膜之介电常数; 于该第二蚀刻停止薄膜上形成一第二绝缘薄膜; 于该第二绝缘薄膜上形成一具有开口之罩幕图案; 藉于该第二绝缘薄膜相对于该第二蚀刻停止薄膜 进行选择性蚀刻之条件下,蚀刻该第二绝缘薄膜以 形成一凹槽,其使用该罩幕图案作为一蚀刻罩幕, 以使得该第二蚀刻停止薄膜暴露于凹槽的底部; 于该第二蚀刻停止薄膜相对于该第一蚀刻停止薄 膜进行选择性蚀刻之条件下,蚀刻该暴露于凹槽底 部之第二蚀刻停止薄膜;以及 于凹槽内填充一传导性部件,其包含一传导性材料 。 13.如申请专利范围第12项之制造一半导体元件的 方法,其中该第一绝缘薄膜与该第二绝缘薄膜系包 含多孔性二氧化矽,该第一蚀刻停止薄膜包含SiO2, 而该第二蚀刻停止薄膜系包含SiC或SiN。 14.一种半导体元件,其包含: 一第一绝缘薄膜,其包含一多孔性绝缘材料且设置 于一半导体基材之表面上; 一第一蚀刻停止薄膜,其包含一绝缘材料且其设置 于该第一绝缘薄膜上; 一设置于该第一蚀刻停止薄膜上之第二蚀刻停止 薄膜,该第二蚀刻停止薄膜系包含另一绝缘材料, 其具有一高于该第一蚀刻停止薄膜之介电常数; 一设置于该第二蚀刻停止薄膜上之第二绝缘薄膜; 一凹槽,其穿透该第二绝缘薄膜与该第二蚀刻停止 薄膜,且其底部存有该第一蚀刻停止薄膜;以及 一传导性部件,其包含一传导性材料,且其填充于 该凹槽中。 15.如申请专利范围第14项之半导体元件,其中该第 一绝缘薄膜系包含多孔性二氧化矽,该第一蚀刻停 止薄膜包含SiO2,且该第二蚀刻停止薄膜系包含SiC 或SiN。 图式简单说明: 第1A至1K图系为一依本发明具体实施例之制造方法 步骤中之半导体元件的横截面图。 第2图系为本发明之一具体实施例之半导体元件的 横截面图。 |
