| 发明名称 | 镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种镓砷基量子级联激光器管芯单元结构，包括：一衬底；一下覆盖层，该下覆盖层生长在衬底上；一下波导层，该下波导层生长在下覆盖层上，该下波导层的两侧形成有一低于中间部位的台阶，中间为脊形；一有源层，该有源层生长在下波导层上的中间部位；一上波导层生长在有源层上；一上覆盖层生长在上波导层上；一隔离层淀积在上覆盖层上并覆盖脊形的两侧及下波导层两边的上面，该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层热蒸发在隔离层上，并覆盖住电流注入窗口；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底的背面。 | ||
| 申请公布号 | CN1960091A | 申请公布日期 | 2007.05.09 |
| 申请号 | CN200510117174.7 | 申请日期 | 2005.11.01 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘俊岐;刘峰奇;路秀真;郭瑜;梁平;胡颖;孙虹 |
| 分类号 | H01S5/22(2006.01);H01S5/343(2006.01) | 主分类号 | H01S5/22(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种镓砷基量子级联激光器管芯单元结构，其特征在于，该结构包括：一衬底；一下覆盖层，该下覆盖层生长在衬底上；一下波导层，该下波导层生长在下覆盖层上，该下波导层的两侧形成有一低于中间部位的台阶，中间为脊形；一有源层，该有源层生长在下波导层上的中间部位；一上波导层，该上波导层生长在有源层上；一上覆盖层，该上覆盖层生长在上波导层上；一隔离层，该隔离层淀积在上覆盖层上并覆盖脊形的两侧及下波导层两边的上面，该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层热蒸发在隔离层上，并覆盖住电流注入窗口；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底的背面。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||