静态随机存取记忆体单元

摘要

一种静态随机存取记忆体单元，包括一基底、一层闸介电层、一个闸极、一个沟渠式电容器、一个源极/汲极区、一个第一接触窗及一个第二接触窗。其中，基底已形成有一个沟渠，而闸介电层配置于基底上。闸极配置于闸介电层上，而沟渠式电容器配置于闸极一侧的沟渠中。源极/汲极区配置于闸极两侧的基底中，闸极一侧的源极/汲极区是位于闸极与沟渠式电容器之间。第一接触窗电性连接于沟渠式电容器，而第二接触窗电性连接于闸极另一侧的源极/汲极区。