包含具至少一组实质未掺杂层超晶格之半导体元件

摘要

包含超晶格的一种半导体元件，其超晶格包含复数个堆叠的层群组。该超晶格的每一层群组各可包含有界定了一基底半导体部份之复数个堆叠的基底半导体单层，以及其上之一能带修改层。再者，能带修改层可包含有限定于相邻基底半导体部份之一晶体晶格内的至少一非半导体单层。该超晶格的至少一层群组可实质未予掺杂(undoped)。