| 发明名称 | 晶片清洗方法与设备 | ||
| 摘要 | 公开了一种晶片清洗方法，其包括将清洁水供给用化学溶液清洗的晶片(2)，测量包括化学溶液和清洁水的溶液(6)的电阻率，并将该测量值对时间微分，以及用清洁水持续清洗晶片(2)，直到电阻率的时间微分值等于或小于预定值，并在该预定值保持预定时间。 | ||
| 申请公布号 | CN1311520C | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN200410083298.3 | 申请日期 | 2004.09.03 |
| 申请人 | 大日本斯克林制造株式会社;精工爱普生株式会社 | 发明人 | 宫崎邦浩;火口隆司;中岛俊贵;松尾弘之 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/302(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1、一种晶片清洗方法，其特征在于包括下列步骤：将清洁水供给用化学溶液清洗的晶片；测量包括化学溶液和清洁水的溶液的电阻率，并将该测量值对时间微分；以及用清洁水持续清洗晶片，直到电阻率的时间微分值等于或小于预定值，并在该预定值保持预定的时间。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||