发明名称 量子器件、量子逻辑器件、量子逻辑器件的驱动方法和由量子逻辑器件得到的逻辑电路
摘要 本发明的课题是提供一种可实现从微细化和功耗的观点可达到凌驾于现在的CMOS技术的性能且与使用了现有的时序电路的经典计算机的安装不矛盾的方式的逻辑电路的技术。解决方法是具备:在z方向上封闭了载流子的xy平面中具有二维电子气的第1传导构件(101a、101b)和第2传导构件(102a、102b);生成给予对第1传导构件(101a、101b)的影响的电场的第3传导构件(103a、103b);容易流过第1传导构件(101a、101b)与第2传导构件(102a、102b)之间的隧道电流的绝缘构件(104);以及难以流过第1传导构件(101a、101b)与第3传导构件(103a、103b)之间的隧道电流的绝缘构件(105),利用由对第3传导构件(103a、103b)给予的电位产生的电场对第1传导构件(101a、101b)的子能带给予影响。
申请公布号 CN1950944A 申请公布日期 2007.04.18
申请号 CN200580014550.8 申请日期 2005.05.26
申请人 国际商业机器公司 发明人 片山泰尚
分类号 H01L29/06(2006.01);H01L29/66(2006.01);H03K19/02(2006.01);H03K19/20(2006.01) 主分类号 H01L29/06(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种量子器件,其特征在于,在定义了任意的第1方向的实空间中具有:至少在上述第1方向上封闭载流子的第1量子结构区域和第2量子结构区域;在上述第1量子结构区域与上述第2量子结构区域之间的隧道势垒区域;从平行于与上述第1方向正交的平面的方向且不打乱上述第1量子结构区域的上述第1方向上的量子封闭状态的方向对上述第1量子结构区域注入载流子的第1电极区域;从平行于与上述第1方向正交的平面的方向且不打乱上述第2量子结构区域的上述第1方向上的量子封闭状态的方向对上述第2量子结构区域注入载流子的第2电极区域;载流子传导区域;以及在上述第1量子结构区域与上述载流子传导区域之间配置的绝缘区域。
地址 美国纽约