半导体架构及其形成方法和形成金氧半导体装置之方法

摘要

一种具有挖除主动区域之半导体架构以及制造半导体架构的方法。半导体架构包括第一隔离架构和第二隔离架构，而第一隔离架构和第二隔离架构之间具有一主动区域，第一和第二隔离架构具有小于90度之倾斜角之侧壁，藉由挖除主动区域以增加通道宽度以及装置的驱动电流。