| 发明名称 | 制造的应变传感器 | ||
| 摘要 | 一种由聚合物膜形成应变传感器的方法，包括以下步骤：利用高能辐射选择性地辐射聚合物的表面，以改变聚合物的成分并增加被选择表面部分的电导率。该辐射可在聚合物中生成碳化粒子或金属粒子，聚合物中导电粒子之间空隙的改变将会带来被处理聚合物中依赖于应变的电特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1946993A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200580011114.5 | 申请日期 | 2005.04.12 |
| 申请人 | MNT创新有限公司 | 发明人 | 戴维·梅因沃林;潘迪严·穆卢加雷伊 |
| 分类号 | G01L1/22(2006.01);H01L51/40(2006.01) | 主分类号 | G01L1/22(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 林锦辉 |
| 主权项 | 1、一种包含聚合物的应变传感器，该聚合物在其表面的一部分上受到低于1×1015个离子/cm2的辐射，该表面具有淀积在被处理部分上的导电迹线，使得所述传感器可以被连接到外部电路上。 | ||
| 地址 | 澳大利亚维多利亚 | ||