| 发明名称 | 具有双向形状记忆效应的磁性材料及其单晶制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有双向形状记忆效应的磁性材料及其单晶制备方法。该磁性单晶材料的化学式为Mn<SUB>x</SUB>Ni<SUB>y</SUB>Ga<SUB>z</SUB>，其中，37＜x＜55，20＜y＜38，20＜z＜30，x+y+z＝100，x、y、z表示原子百分比含量。其单晶制备方法包括将称好的料盛放在坩埚中，采用提拉法生长Mn<SUB>x</SUB>Ni<SUB>y</SUB>Ga<SUB>z</SUB>磁性单晶。本发明提供的具有双向形状记忆效应的磁性材料，其马氏体相变的各个特征温度点可通过改变Mn，Ni，Ga组成比而被转变或根据用途加以调整，马氏体相变的开始温度可被选为在36K和350K范围内符合应用的需要，而居里点Tc可被选为在140℃和330℃的范围内符合应用的需要。此外，本发明提供的制备方法适用于常规的提拉晶体的设备，因此成本低，易于工业化批量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN1310257C | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200410080015.X | 申请日期 | 2004.09.24 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 刘国栋;柳祝红;代学芳;朱志永;陈京兰;吴光恒 |
| 分类号 | H01F1/047(2006.01);C30B29/52(2006.01);C30B15/00(2006.01);C22C22/00(2006.01);C22C32/00(2006.01) | 主分类号 | H01F1/047(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 尹振启 |
| 主权项 | 1、一种具有双向形状记忆效应的磁性材料，其特征在于，其化学式为：MnxNiyGaz；其中，37＜x＜55，20＜y＜38，20＜z＜30，x+y+z＝100，x、y、z表示原子百分比含量。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||