发明名称 |
激光诱发热成像设备及激光诱发热成像方法 |
摘要 |
本发明公开了一种激光诱发热成像设备及激光诱发热成像方法。激光诱发热成像设备具有处于附着框架和基底台内的电磁体,以便使供体膜紧紧附着于基底上。该激光诱发热成像设备包括处理腔室,该腔室包括供体膜和基底并用来实施将供体膜沉积到基底上的工序;具有第一电磁体的基底台,该基底台位于工序腔室内用来支撑基底;具有第二电磁体的附着框架,该附着框架位于基底台上方,供体膜和基底被设置于处理腔室内的基底台和附着框架之间;以及用于将激光输出提供给供体膜的激光振荡器。 |
申请公布号 |
CN1944070A |
申请公布日期 |
2007.04.11 |
申请号 |
CN200610163937.6 |
申请日期 |
2006.08.30 |
申请人 |
三星SDI株式会社 |
发明人 |
鲁硕原;姜泰旻;金镇洙;郭鲁敏;李在濠 |
分类号 |
B41M5/382(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L51/00(2006.01);H01L51/56(2006.01) |
主分类号 |
B41M5/382(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
1.一种激光诱发热成像设备,包括:腔室,其用于实施将供体层叠于基底上的工序;具有第一电磁体的基底台,该基底台被设置于所述腔室内且用来支撑所述基底;具有第二电磁体的附着框架,其被设置于所述腔室内,所述附着框架和基底台被设置成接收所述基底台和附着框架之间的所述供体膜和所述基底;以及用于将激光输出提供给所述供体膜的激光振荡器。 |
地址 |
韩国京畿道 |