| 发明名称 | 薄膜晶体管、TFT阵列基板、液晶显示器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管，包括：栅层、栅绝缘层、半导体层、漏层和钝化层(每一层都直接或间接形成在绝缘基板上)，和形成在钝化层上的导电层。该导电层通过至少穿过该钝化层的接触孔与栅层或漏层连接。钝化层具有包括至少堆叠的第一子层和第二子层的多层结构，第一子层具有比第二子层低的蚀刻速率。第一子层比第二子层更接近于基板设置。第二子层具有等于或小于导电层的厚度。在蚀刻工艺中，可以很好地控制钝化层和底层栅绝缘层的形状或结构，并且防止形成在钝化层上的导电层被分割开。 | ||
| 申请公布号 | CN1945855A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200610142087.1 | 申请日期 | 2006.10.08 |
| 申请人 | NEC液晶技术株式会社 | 发明人 | 田中宏明 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L29/41(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，包括：栅层、栅绝缘层、半导体层、漏层和钝化层，每一层都直接或间接形成在绝缘基板上；以及形成在钝化层上的导电层，该导电层通过至少穿过该钝化层的接触孔与栅层或漏层连接；其中钝化层具有至少包括堆叠的第一子层和第二子层的多层结构，该第一子层具有比第二子层低的蚀刻速率；第一子层比第二子层更接近于基板设置；以及第二子层具有等于或小于所述导电层的厚度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||