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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Grabenisolationsstruktur eines Halbleiterbauelements. DOLLAR A Erfindungsgemäß wird ein Substrat (100) mit einem darin ausgebildeten Graben in eine chemische Gasphasenabscheidungsvorrichtung mit einem Plasma hoher Dichte (HDP) geladen, das Substrat wird ein erstes Mal erwärmt, eine erste Vorspannungsleistung wird an die Vorrichtung angelegt, um so einen HDP-Oxidüberzug (140) auf Seitenwand- und Bodenflächen des Grabens zu bilden, wobei nach der Bildung des HDP-Oxidüberzugs ein Zwischenraum in dem Graben verbleibt, die erste Vorspannungsleistung wird abgeschaltet und das Substrat wird ein zweites Mal erwärmt, eine zweite Vorspannungsleistung mit einem Leistungsniveau, das höher als jenes der ersten Vorspannungsleistung ist, wird an das Substrat angelegt, um so zum Füllen des Zwischenraums in dem Graben einen HDP-Oxidfilm (150) zu bilden, und dann wird das Substrat aus der Vorrichtung entnommen. DOLLAR A Verwendung z.B. zur Herstellung von Bauelementisolationen in hochintegrierten Halbleiterbauelementen.
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