发明名称 用于离子注入的方法和装置
摘要 这项发明提供用于诸如半导体晶片之类的工件的受控的离子注入的方法和装置。这种方法包括产生离子束,让离子束在第一方向扫过工件以产生扫描线,在第二方向相对于离子束这样平移工件,以致扫描线以及标准的空间频率分布在工件上,从而获得工件的剂量图,以如果所获得的剂量图不在技术要求范围之内而且必要的剂量修正少于能用扫描线的标准空间频率获得的最小剂量修正则开始剂量修正注入并且在剂量修正期间控制扫描线的空间频率。
申请公布号 CN1308998C 申请公布日期 2007.04.04
申请号 CN02814496.1 申请日期 2002.05.23
申请人 瓦里安半导体设备联合公司 发明人 杰伊·T·舒尤尔;格雷戈里·R·杰比拉热
分类号 H01J37/317(2006.01) 主分类号 H01J37/317(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 过晓东
主权项 1.一种用于工件的离子注入的方法,其中包括:产生离子束;让离子束在第一方向扫过工件以产生扫描线;在第二方向相对于离子束平移工件,以使扫描线以标准的空间频率分布在工件上;获取工件的剂量图;以及当已取得的剂量图不在技术要求范围内而且必要的剂量修正小于用扫描线的标准空间频率修正能够获得的最小剂量修正的时候,开始剂量修正注入并且在剂量修正注入期间控制扫描线的空间频率,其中控制扫描线的空间频率的步骤包括扫描具有标准空间频率的n条扫描线的数组,每组都是以单一扫描的方式扫描的,每组中的扫描线的数目n等于或大于用扫描线的标准的空间频率能够获得的最小剂量修正除以必要的剂量修正,其中每组扫描线具有小于或等于离子束在工件平移方向上的横截面尺寸,而且其中扫描线的空间频率相对于标准的空间频率被降低。
地址 美国马萨诸塞州