发明名称 |
存储单元以及具有该存储单元的半导体非易失性存储器的结构 |
摘要 |
在栅极的两侧具有2个电荷存储部的存储单元中,充分增大写入前后的读出电流差。一种存储单元,其特征在于,具备形成在半导体衬底(1)上的栅极(26),在半导体衬底(1)的表层区域且和第1栅极(26)相对的位置上形成的沟道区域(28),形成在沟道区域(28)的两侧的电阻变化区域(30以及32)、也是其杂质浓度低于沟道区域(28)、其杂质浓度小于等于5×10<SUP>17</SUP>cm<SUP>-3</SUP>的电阻变化区域(30以及32),形成在电阻变化区域(30以及32)的两侧、与沟道区域(28)是相反导电型的第1高浓度杂质区域(30以及32)和形成在电阻变化区域(30以及32)上、可以进行电荷的存储的电荷存储部(40)。 |
申请公布号 |
CN1941418A |
申请公布日期 |
2007.04.04 |
申请号 |
CN200610154050.0 |
申请日期 |
2006.09.20 |
申请人 |
冲电气工业株式会社 |
发明人 |
小野隆;藤井成久;大贯健司 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王以平 |
主权项 |
1.一种存储单元,其特征在于,具备:在半导体衬底上隔着第1栅绝缘膜形成的第1栅极;在所述半导体衬底的表层区域、且和所述第1栅极相对的位置上形成的第1沟道区域;形成在所述第1沟道区域的两侧的电阻变化区域,所述电阻变化区域的杂质浓度低于所述第1沟道区域,所述杂质浓度小于等于5×1017cm-3;形成在所述电阻变化区域的两侧、导电型与所述沟道区域相反的第1高浓度杂质区域;以及形成所述电阻变化区域上、可以进行电荷的存储的电荷存储部。 |
地址 |
日本东京 |