| 发明名称 | 等离子体显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于提供一种高亮度的等离子体显示装置。提供一种等离子体显示装置，包括：第一和第二基板(1、2)；用于在所述第一基板上进行维持放电而在第一基板上形成的第一和第二电极(11、12)；用于在与第二电极之间进行地址放电而在第二基板上形成的第三电极(15)；在所述第一基板上以覆盖第一和第二电极的方式由氧化硅膜形成的介电体层(13)；以及存在于第一与第二基板之间的Xe浓度10％±2.5％以内的放电气体。介电体层厚度为10μm±2.5μm以内。第一～第三电极构成一个像素，可显示1920×1080像素。 | ||
| 申请公布号 | CN1941260A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610141257.4 | 申请日期 | 2006.09.29 |
| 申请人 | 富士通日立等离子显示器股份有限公司 | 发明人 | 小野泽诚;桥本康宣;岸智胜;柴田将之 |
| 分类号 | H01J17/49(2006.01);H01J17/04(2006.01);H01J17/02(2006.01);H01J17/20(2006.01);H01J11/00(2006.01);G09G3/28(2006.01);G09F9/313(2006.01) | 主分类号 | H01J17/49(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种等离子体显示装置，其特征在于，包括：第一和第二基板；用于在所述第一基板上进行维持放电而在所述第一基板上形成的第一和第二电极；用于在与所述第二电极之间进行地址放电而在所述第二基板上形成的第三电极；在所述第一基板上以覆盖所述第一和第二电极的方式由氧化硅膜形成的介电体层；以及存在于所述第一与第二基板之间的Xe浓度为10％±2.5％以内的放电气体，其中所述介电体层厚度为10μm±2.5μm以内，所述第一～第三电极构成一个像素，可显示1920×1080像素。 | ||
| 地址 | 日本宫崎县 | ||