发明名称 TRENCH DMOS TRANSISTOR HAVING LIGHTLY DOPED SOURCE STRUCTURE
摘要
申请公布号 EP1320895(B1) 申请公布日期 2007.04.04
申请号 EP20010971182 申请日期 2001.09.19
申请人 GENERAL SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 HSHIEH, FWU-LUAN;SO, KOON, CHONG;TSUI, YAN, MAN
分类号 H01L29/08;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78 主分类号 H01L29/08
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利