| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 形成了满足以下三个要求，“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”，“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”，及“具有优秀的可重复性”的阻挡层，阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜，阻挡层中所含的低氧化物比率为18％或更高。 | ||
| 申请公布号 | CN1941419A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610137390.2 | 申请日期 | 2003.04.11 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所;夏普公司 | 发明人 | 仲泽美佐子;一条充弘;浜谷敏次;大沼英人;牧田直树 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 1.半导体器件，包括半导体层、栅绝缘薄膜和形成于绝缘表面的栅电极，其中半导体层含有加速结晶的元素，元素浓度沿半导体层的厚度方向分级。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||