互补式金氧半电晶体及其制造方法

摘要

一种互补式金氧半电晶体及其制造方法，其中P型金氧半电晶体乃具有压缩形变之矽锗通道，而N型金氧半电晶体则具有由覆盖层所产生之局部拉伸形变的矽通道。利用前者克服形变矽通道之电洞迁移率增效不足的问题，并且藉由形变矽锗通道、形变矽通道所分别在共价带、传导带引起的能带补偿，使得等效的能隙变小，可适用于高介电常数闸极介电层以及具有单一工作函数之金属闸极，避免不易整合之双重金属闸极问题，并且形成具有高迁移率增效之形变通道含氧半电晶体。