| 摘要 |
本发明提供一种沟渠电晶体制造方法及其沟渠电晶体(沟渠-凹下通道阵列电晶体)。该方法包括下列步骤：提供第一传导形式的半导体基板(1)；于该基板(1)中形成沟渠(5)；于在该沟渠(5)的该基板(1)上形成闸极介电体(20)；于该沟渠(5)中提供第一传导填充(30’)，做为在该闸极介电体(20)上的闸极电极(30)；藉由将第二传导形式的不纯物沿该沟渠(5)引入该基板(1)表面以形成第一源极及汲极区域(4)；将该沟渠(5)中的该第一传导填充(30’)回蚀至低于该第一源极及汲极区域(4)的深度；藉由将第二传导形式的不纯物引入于该沟渠(5)中的该基板(1)表面而形成第二源极及汲极区域(4’)，该第二源极及汲极区域(4’)系与该第一源极及汲极区域(4)相邻且延伸至至少远至该经回蚀第一传导填充(30’)的深度；于在该沟渠(5)中的该经回蚀第一传导填充(30’)上形成绝缘间隔物(25；25’)；及于该沟渠(5)提供第二传导填充(30”)以做为该闸极电极的上方部份，其系与该经回蚀第一传导填充(30’)电接触及系藉由该绝缘间隔物(25；25’)而与该第一及第二源极及汲极区域(4,4’)电绝缘。 |
