| 主权项 |
1.一对称化压控振荡器系统,包括: 一频率调谐电路用以接收一频率调谐讯号; 一频带调谐电路,和该频率调谐电路并连,包含至 少一切换电路,以接收至少一频带调谐讯号及至少 一切换讯号; 一核心电路,连接该频率调谐电路及该频带调谐电 路,可提供一第一输出与一和该第一输出互补之第 二输出;该核心电路含有至少一电感模组,以提供 一预设电感; 其中,在确认切换讯号后,使该切换电路启动该频 带调谐电路,以配合该频率调谐电路,藉以使得该 第一输出与该第二输出具有一输出频率,该输出频 率系取决于该核心电路、该频率调谐电路、该调 变电路及该频带调谐电路之一总电感及一总电容, 且该总电容及该总电感系经由调整该频率调谐讯 号及该频带调谐讯号所控制,使该输出频率为一预 设频率;以及 其中该压控振荡器系统之所有组成元件皆系对称 设置。 2.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该频率调 谐电路之频率调谐讯号是由一锁相频率合成器所 提供,以锁定输出相位。 3.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该核心电 路更包含: 至少一PMOS交互耦接之电晶体结构,具至少一对交 互耦接之PMOS电晶体,其源极皆耦接至一电源;以及 至少一NMOS交互耦接之电晶体结构,具至少一对交 互耦接之NMOS电晶体,其源极皆耦接至一个电气接 地端; 其中该PMOS和NMOS电晶体之汲极皆耦接至该第一输 出或该第二输出,两者其一; 其中该PMOS或NMOS电晶体之一闸极,交互耦接至对应 成对之另一PMOS或NMOS电晶体的一个汲极(drain);而且 该一电感模组系以并连方式耦接至该频率调谐电 路及该频带调谐电路,同时位于第一和第二输出端 之间。 4.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该核心电 路更包含: 至少一NMOS交互耦接之电晶体结构,具有至少一第 一与第二交互耦接之NMOS电晶体,其源极耦接至一 电气接地端,且其汲极分别耦接至一第一或第二输 出; 其中该第一和第二NMOS电晶体之闸极分别交互耦接 至该第二与第一NMOS电晶体之汲极;而且 其中该电感模组含有一第一电感模组,耦接于一电 源与该第一输出之间,一第二电感模组,耦接于该 电源与该第二输出之间。 5.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该频率调 谐电路更包括: 一第一可变电容及一第二可变电容互相串接; 其中它们的第一端点,分别耦接至该第一输出和第 二输出,而其第二端点则是和频率调谐讯号相接。 6.如申请专利范围第5项所述之系统,其中该频率调 谐电路更包括: 一第一电阻与一第二电阻相互串接,而且一起并连 耦接到该第一及第二可变电容;以及 一第一电容与一第二电容,其第一端点分别耦接至 该第一输出和第二输出,而其第二端点则分别和该 第一和第二可变电容,及第一和第二电阻相连接, 藉此串接该可变电容及该电阻。 7.如申请专利范围第6项所述之系统,其中该第一和 第二电阻间之一中点连接到一频率调谐偏压信号 。 8.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该频带调 谐电路更包括: 一第一及一第二调谐模组,具有一第一及第二预设 电容,其第一端点分别和该第一输出及第二输出耦 接, 一第一及一第二电阻,相互串接,而且进一步和该 第一及第二调谐模组之第二端点间串接,而两电阻 间的一中点系由该频带调谐讯号所控制;以及 一第一及一第二开关,相互串接,而且进一步和该 第一及第二调谐模组之第二端点中间串接; 其中当该交换讯号传送到该开关之闸极,该第一及 第二调谐模组会被启动。 9.如申请专利范围第8项所述之系统,其中该两开关 间之中点耦接至一电气接地端。 10.如申请专利范围第8项所述之系统,其中该调谐 模组为可变电容。 11.如申请专利范围第8项所述之系统,其中该调谐 模组为MOS电容。 12.一种对称化压控振荡器系统,其系包括: 一频率调谐电路用以接收一频率调谐讯号及一频 率调谐偏压信号; 一频带调谐电路,和该频率调谐电路并连,包含至 少一切换电路,以接收至少一频带调谐讯号及至少 一切换讯号; 一核心电路,连接该频率调谐电路及该频带调谐电 路,可提供一第一输出与一和该第一输出互补之第 二输出;该核心电路含有至少一电感模组,以提供 预设电感; 其中,在确认切换讯号后,使该切换电路启动该频 带调谐电路,以配合该频率调谐电路,藉以使得该 第一输出与该第二输出具有一输出频率,该输出频 率系取决于该核心电路、该频率调谐电路、该调 变电路及该频带调谐电路之一总电感及一总电容, 且该总电容及该总电感系经由调整该频率调谐讯 号及该频带调谐讯号所控制,使该输出频率为一预 设频率;以及 其中该压控振荡器系统之所有组成元件皆系对称 设置。 13.如申请专利范围第12项所述之系统,其中该频率 调谐电路之频率调谐讯号是由一锁相频率合成器 所提供,以锁定输出相位。 14.如申请专利范围第12项所述之系统,其中该核心 电路更包含: 至少一PMOS交互耦接之电晶体结构,具至少一对交 互耦接之PMOS电晶体,其源极皆耦接至一电源;以及 至少一NMOS交互耦接之电晶体结构,具至少一对交 互耦接之NMOS电晶体,其源极皆耦接至一个电气接 地端; 其中该PMOS和NMOS电晶体之汲极皆耦接至该第一输 出或该第二输出,两者其一; 其中该PMOS或NMOS电晶体之一闸极,交互耦接至对应 成对之另一PMOS或NMOS电晶体的一个汲极(drain);而且 该一电感模组系以并连方式耦接至该频率调谐电 路及该频带调谐电路,同时位于第一和第二输出端 之间。 15.如申请专利范围第12项所述之系统,其中该核心 电路更包含: 至少一NMOS交互耦接之电晶体结构,具有至少一第 一与第二交互耦接之NMOS电晶体,其源极耦接至一 电气接地端,且其汲极分别耦接至一第一或第二输 出; 其中该第一和第二NMOS电晶体之闸极分别交互耦接 至该第二与第一NMOS电晶体之汲极;而且 其中该电感模组含有一第一电感模组,耦接于一电 源与该第一输出之间,一第二电感模组,耦接于该 电源与该第二输出之间。 16.如申请专利范围第12项所述之系统,其中该频率 调谐电路更包括: 一第一可变电容及一第二可变电容,互相串接,其 中它们的第一端点,分别耦接至该第一输出和第二 输出,而其第二端点则是和频率调谐讯号相接; 一第一电阻及一第二电阻,互相串接,同时以并连 方式一起耦接到该第一及第二可变电容,该第一及 第二电阻间之一中点会耦接到该频率调谐偏压信 号;以及 一第一电容及一第二电容,它们的第一端点,分别 耦接至该第一输出和第二输出,而它们的第二端点 则分别和该第一及第二可变电容,以及该第一及第 二电阻耦接,藉此串接该可变电容及该电阻。 17.如申请专利范围第12项所述之系统,其中该频带 调谐电路更包括 一第一及一第二调谐模组,具有一第一及第二预设 电容,其第一端点分别和该第一输出及第二输出耦 接, 一第一及一第二电阻,相互串接,而且进一步和该 第一及第二调谐模组之第二端点间串接,而两电阻 间的一中点系由该频带调谐讯号所控制;以及 一第一及一第二开关,相互串接,而且进一步和该 第一及第二调谐模组之第二端点中间串接;而且 其中当该切换讯号传送到该开关之闸极,该第一及 第二调谐模组会被启动。 18.一种对称化压控振荡器系统,其系包括: 一频率调谐电路用以接收一频率调谐讯号及一频 率调谐偏压信号; 一锁相频率合成器,可提供该频率调谐讯号; 一频带调谐电路,和该频率调谐电路并连,包含至 少一切换电路,以接收至少一频带调谐讯号及至少 一切换讯号; 一核心电路,连接该频率调谐电路及该频带调谐电 路,可提供一第一输出与一和该第一输出互补之第 二输出;该核心电路含有至少一电感模组,以提供 预设电感; 其中,在确认切换讯号后,使该切换电路启动该频 带调谐电路,以配合该频率调谐电路,藉以使得该 第一输出与该第二输出具有一输出频率,该输出频 率系取决于该核心电路、该频率调谐电路、该调 变电路及该频带调谐电路之一总电感及一总电容, 且该总电容及该总电感系经由调整该频率调谐讯 号及该频带调谐讯号所控制,使该输出频率为一预 设频率;以及 其中该压控振荡器系统之所有组成元件皆系对称 设置。 19.如申请专利范围第18项所述之系统,其中该频率 调谐电路更包括: 一第一可变电容及一第二可变电容,互相串接,其 中它们的第一端点,分别耦接至该第一输出和第二 输出,而其第二端点则是和频率调谐讯号相接; 第一电阻及一第二电阻,互相串接,同时以并连方 式一起耦接到该第一及第二可变电容,该第一及第 二电阻间之一中点会耦接到该频率调谐偏压信号; 以及 一第一电容及一第二电容,它们的第一端点,分别 耦接至该第一输出和第二输出,而它们的第二端点 则分别和该第一及第二可变电容,以及该第一及第 二电阻耦接,藉此串接该可变电容及该电阻。 20.如申请专利范围第19项所述之系统,其中该频带 调谐电路更包括: 一第一及一第二调谐模组,具有一第一及第二预设 电容,其第一端点分别和该第一输出及第二输出耦 接; 一第一及一第二电阻,相互串接,而且进一步和该 第一及第二调谐模组之第二端点间串接,而两电阻 间的一中点系由该频带调谐讯号所控制;以及 一第一及一第二开关,相互串接,而且进一步和该 第一及第二调谐模组之第二端点中间串接; 其中当该切换讯号传送到该开关之闸极,该第一及 第二调谐模组会被启动。 图式简单说明: 第1图:系表示一个传统LC槽式压控振荡器系统电路 。 第2图:系表示本发明一实施例的一高线性度之LC槽 式对称化压控振荡器系统之一方块图。 第3图:系表示本发明另一实施例的LC槽式对称化压 控振荡器电路图。 第4图:系表示本发明另一实施例的LC槽式对称化压 控振荡器电路图。 第5A与5B图:系表示本发明另一实施例的两个LC槽式 对称化压控振荡器电路图。 |
