| 摘要 |
一种高纯度锡或锡合金，其特征在于：U、Th个别含有量为5ppb以下，Pb、Bi个别含有量为1ppm以下，纯度为5N以上(其中，不计O、C、N、H、S、P之气体成分)。一种高纯度锡或锡合金，其特征在于：具有铸造组织之高纯度锡的α射线计数为0.001cph/cm2以下。最近之半导体装置，由于高密度化与高容量化，会因为半导体晶片附近之材料所释放之α射线的影响，导致发生软性错误之危险增多。特别是，对于与半导体装置接近所使用之焊料或锡之高纯度化要求殷切，并需要α射线少的材料，是以，本发明之课题在于获得一种可适应前述情况之减低锡的α射线量之高纯度锡或锡合金、以及高纯度锡之制造方法。 |
