场效应晶体管

摘要

一种场效晶体管包含一基板(30)具有一第一传导类型的掺杂，一漏区(50，52，54)在基板(30)中具有与第一传导类型相反的第二传导类型的掺杂，一源区(40)于基板(30)中与漏区(50，52，54)侧向间隔且具有第二传导类型的掺杂，以及一沟道区(98)于基板(30)中，其配置于源区(40)以及漏区(50，52，54)之间。在基板(30)邻接漏区(50，52，54)的一部份中，具有第二传导类型的掺杂的一区域(102，104)，其系被连接到漏区(50，52，54)，系被安排以使在区域中具有第一传导类型以及第二传导类型的交替区域被配置。

主权项

1. 一种场效晶体管，其包含：一基板(30)，其具有一第一传导类型的掺杂；于基板(30)中的一漏区(50，52，54)，其具有与该第一传导类型相反的第二传导类型的掺杂；于基板(30)中的一源区(40)，其与该漏区(50，52，54)横向间隔且具有该第二传导类型的掺杂；于基板(30)中的一沟道区域(98)，其被配置在该源区(40)以及该漏区(50，52，54)之间；以及具有该第二传导类型的掺杂的多个区域(102，106)，所述多个区域中的每一个电连接至该漏区(50，52，54)且延伸入该基板(30)具有该第一传导类型掺杂的一部份，以使得位于该漏区(50，52，54)之下，形成具有该第一传导类型且具有第二传导类型交替配置的一区域。