过电流检测电路与基准电压生成电路

摘要

本发明提供一种过电流检测电路，其特征在于：作为MOSFET的M1是流过基准电流时得到与该基准电流对应的基准电压的基准负载。通过M11、M12、M13和M14，构成放大两个输入电位差的差动放大部。在该差动放大部中流过恒定电流源Ib的偏压电流。该偏压电流中的至少一部分电流流过基准负载M1。此时，M10的漏极电位输入到该差动放大部的两个输入电极中的一个，在该差动放大部的两个输入电极的另一个中，输入与作为过电流检测对象的电流大小相对应的检测电压。由此，能够降低电子线路全体的总消耗电流。

主权项

1.一种过电流检测电路，其特征在于，包括：放大两个输入的电位差的差动放大部，和当流过基准电流时得到与该基准电流对应的基准电压的基准负载，其中，流过所述差动放大部的偏压电流中的至少一部分电流流过所述基准负载，将所述电流流过所述基准负载所得到的电压输入到所述差动放大部的两个输入中的一个，将与作为过电流检测对象的电流的大小对应的检测电压输入到所述差动放大部的两个输入中的另一个。