发明名称 光学微影用之高穿透衰减式相位偏移光罩(一) HIGH TRANSMITTANCE ATTENUATED PHASE SHIFT MASK FOR OPTICAL LITHOGRAPHY
摘要 本发明系为一种光学微影用之高穿透衰减式相位偏移光罩(一),其主要系可调谐光学常数的新式单层(Al2O3)x-(TiO2)1-x〔氧化铝-二氧化钛〕复合膜在193nm波段下可被用来当衰减层使其有π相位的偏移,并且在257nm波段下可当检视层,其结果显示出它可以供ArF〔氟化氩〕浸润式的微影中当一有效的高穿透率衰减式相位偏移光罩。
申请公布号 TWI276913 申请公布日期 2007.03.21
申请号 TW095111096 申请日期 2006.03.30
申请人 国立高雄第一科技大学 发明人 赖富德
分类号 G03F1/08(2006.01) 主分类号 G03F1/08(2006.01)
代理机构 代理人 陈金铃 台南市安平区建平五街122号
主权项 1.一种光学微影用之高穿透衰减式相位偏移光罩( 一),其主要系为(Al2O3)x-(TiO2)1-x[氧化铝-二氧化钛] 复合膜以使用射频非平衡磁控式溅镀法在标准的 氩气与氧气气压及室温下来沈积于UV[紫外线]级的 高纯度石英玻璃与矽晶圆上。 2.如申请专利范围第1项所述光学微影用之高穿透 衰减式相位偏移光罩(一),其中,在(Al2O3)x-(TiO2)1-x[ 氧化铝-二氧化钛]复合膜里靶材成份中的Al2O3[氧 化铝]莫耳分率为50~100%。 图式简单说明: 第一图:本发明混合靶材的X-ray[X-射线]绕射分析图 第二图:本发明膜层上的Al2O3莫耳分率与靶材上的 Al2O3莫耳分率的关系图 第三图:本发明RBS[拉塞福背向散射分析仪]量测与 模拟出(Al2O3)0.5 -(TiO2)0.5靶材所沈积之膜层的频谱 图 第四图:本发明第三图所模拟出来的膜层浓度纵深 分析图 第五图:本发明当(Al2O3)x-(TiO2)1-x 复合膜的光学穿 透率低但不为零时的穿透率频谱图 第六图:本发明当(Al2O3)x-(TiO2)1-x 复合膜的光学穿 透率低但不为零时的反射率频谱图 第七图:本发明复合膜在193nm波长时的折射率与消 散系数图 第八图:本发明在波段为193nm时,于相位的偏移下 ,(Al2O3)x-(TiO2)1-x复合膜的计算穿透率、计算反射率 和被要求的膜层厚度图 第九图:本发明在193nm波长时相位偏移为,在257nm 波长处的(Al2O3)x-(TiO2)1-x复合膜的计算穿透率频谱 图 第十图:本发明制作复合膜能符合相位偏移及具 最佳穿透率的高穿透率衰减式相位偏移光罩要求 时,其穿透率与反射率的频谱图
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