| 主权项 |
1.一种晶圆支撑板,用于支撑半导体晶圆,该半导体 晶圆为:设有贯穿两面之贯穿孔、藉由上述贯穿孔 之部分,使形成元件之表面之电极被引出至相反侧 之背面者;其特征为: 在包含至少1个以上之上述贯穿孔之范围,设有贯 穿两面、且开口面积大于上述半导体晶圆之贯穿 孔的开口部。 2.如申请专利范围第1项之晶圆支撑板,其中 另具有定位用标记,用于进行和上述半导体晶圆之 位置之定位。 3.一种晶圆支撑板,用于支撑半导体晶圆,该半导体 晶圆为:设有贯穿两面之贯穿孔、藉由上述贯穿孔 之部分,使形成元件之表面之电极被引出至相反侧 之背面者;其特征为: 在包含支撑上述半导体晶圆之侧之面的至少1个以 上之上述贯穿孔之范围,设有开口面积大于上述半 导体晶圆之贯穿孔的凹部。 4.如申请专利范围第3项之晶圆支撑板,其中 上述凹部之一部分,系贯穿两面。 5.如申请专利范围第3项之晶圆支撑板,其中 另具有定位用标记,用于进行和上述半导体晶圆之 位置之定位。 6.一种半导体装置之制造方法,系使用申请专利范 围第1项之晶圆支撑板,藉由上述晶圆支撑板支撑 上述半导体晶圆,于至少上述贯穿孔部分施予加工 。 7.一种半导体装置之制造方法,系使用申请专利范 围第3项之晶圆支撑板,藉由上述晶圆支撑板支撑 上述半导体晶圆,于至少上述贯穿孔部分施予加工 。 8.一种薄膜晶圆之保持方法,系使保持构件与薄膜 晶圆,介由沿着上述薄膜晶圆之外周设置的接着层 予以接着,而将上述薄膜晶圆固定于上述保持构件 者,其特征为: 上述保持构件与上述接着层之至少一方,系具有开 口用于连通上述薄膜晶圆与上述保持构件之间之 空间。 9.如申请专利范围第8项之薄膜晶圆之保持方法,其 中 上述保持构件,系形成为环状之同时,上述保持构 件之内周面、且上述薄膜晶圆侧之端部被施予去 角处理、或形成为曲面形状。 10.如申请专利范围第8项之薄膜晶圆之保持方法, 其中 上述接着层之中和上述薄膜晶圆外周呈正交的方 向之长度,系大于上述接着层之中厚度方向之长度 。 11.如申请专利范围第8项之薄膜晶圆之保持方法, 其中 使上述薄膜晶圆接触弹性体构成之球形构件( balloon),使上述球形构件膨胀,矫正上述薄膜晶圆之 弯曲之后,将上述薄膜晶圆固定于上述保持构件。 12.一种半导体装置之制造方法,系使用申请专利范 围第8项之薄膜晶圆之保持方法者,在上述薄膜晶 圆固定于上述保持构件状态下,对上述薄膜晶圆之 表面与背面施予处理。 图式简单说明: 图1为本发明第1实施形态之晶圆支撑板之构成图 。 图2为图1之晶圆支撑板之重要部分断面构成之扩 大图。 图3为本发明第2实施形态之晶圆支撑板之构成图 。 图4为图3之晶圆支撑板之重要部分断面构成之扩 大图。 图5为本发明之半导体装置之制造方法之一实施形 态之构成图。 图6为本发明之半导体装置之制造方法之另一实施 形态之构成图。 图7为本发明之半导体装置之制造方法之另一实施 形态之构成图。 图8为本发明之半导体装置之制造方法之另一实施 形态之构成图。 图9为本发明之半导体装置之制造方法之另一实施 形态之构成图。 图10为本发明之半导体装置之制造方法之另一实 施形态之构成图。 图11为本发明之半导体装置之制造方法之另一实 施形态之构成图。 图12为本发明之半导体装置之制造方法之另一实 施形态之构成图。 图13(a)-(e)为第3实施形态之薄膜晶圆保持工程之模 式图。 图14为第3实施形态之薄膜晶圆被固定之保持构件 之模式平面图。 图15为第3实施形态之薄膜晶圆被固定状态下之保 持构件之模式平面图。 图16为第3实施形态之保持构件之接着层侧端部附 近之扩大图。 图17(a)-(b)为第3实施形态之薄膜晶圆被固定之保持 构件固定于载置台状态下模式图。 图18(a)-(e)为第3实施形态之保持构件上固定之薄膜 晶圆被施予处理之状态模式图。 图19为第3实施形态之薄膜晶圆之模式垂直断面图 。 图20(a)-(b)为第4实施形态之薄膜晶圆被固定状态下 之保持构件之模式垂直断面图及平面图。 图21(a)-(b)为第5实施形态之薄膜晶圆被固定状态下 之保持构件之模式垂直断面图及平面图。 图22(a)-(b)为第5实施形态之薄膜晶圆被固定状态下 之保持构件之模式垂直断面图及平面图。 图23(a)-(b)为第6实施形态之薄膜晶圆被固定状态下 之保持构件之模式垂直断面图及平面图。 图24(a)-(d)为第7实施形态之薄膜晶圆保持工程之模 式图。 图25(a)-(d)为第8实施形态之薄膜晶圆保持工程之模 式图。 图26(a)为在习知薄膜晶圆之贯穿孔埋入镀层之状 态模式图,(b)为在习知薄膜晶圆之贯穿孔埋入镀层 之后,由晶圆剥离保持构件时之状态模式图。 |
