| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供具有能高精度地检测出保护膜上生成的缺陷的密封结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件(1)具有基板(10)、基板上形成的半导体元件(14)和密封半导体元件(14)的保护膜(17)，而且具有与保护膜(17)的背面相接的第1导电层(16)和与保护膜(17)的表面相接的第2导电层(18)。 | ||
| 申请公布号 | CN1934700A | 申请公布日期 | 2007.03.21 |
| 申请号 | CN200580008861.3 | 申请日期 | 2005.01.19 |
| 申请人 | 先锋株式会社 | 发明人 | 永山健一 |
| 分类号 | H01L23/29(2006.01) | 主分类号 | H01L23/29(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 胡建新 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，具备基板、形成在上述基板上的半导体元件、以及密封上述半导体元件的保护膜，其特征在于具备：与上述保护膜的背面相接的第1导电层；以及与上述保护膜的表面相接的第2导电层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||