具有不同闸极氧化厚度之静电放电结构

摘要

一种使得在一积体电路之一输出端子处具有增加之耐受电压的静电放电(ESD)结构具有一串联耦接于一较厚闸极氧化层MOS装置之薄闸极氧化层金属氧化物半导体(MOS)装置。可藉由该积体电路之一低电压控制电路来控制该薄闸极氧化层MOS装置。该较厚闸极氧化层MOS装置可耦接至该积体电路装置之一输出端，或一双极电晶体可耦接在该积体电路装置之该输出端与该较厚闸极氧化层MOS装置之间。可串联耦接该薄闸极氧化层MOS装置与该较厚闸极氧化层MOS装置。