制造低缺陷密度改变晶向矽之方法

摘要

本发明提供形成低缺陷密度改变矽晶向的方法，藉由非晶化/模板再结晶(amorphization/templated recrystallization；ATR)制程，其中具有第一结晶向之矽区域藉由离子植入而被非晶化，接着被再结晶成为具有不同晶向之板层的晶向。更一般的说，本发明关于所需要的高温回火条件，以便消除保留在含矽单晶半导体材料的缺陷，此缺陷是由从一个晶向可能与非晶化层原来晶向相同或不同之层所在处，离子植入所引发的非晶化、以及模板再结晶所形成。本发明方法的关键在于温度范围摄氏1250至1330度持续数分钟到数小时的热处理，以去除在初次再结晶回火后遗留的缺陷。本发明也提供由非晶化/模板再结晶所形成之低缺陷密度改变晶向的矽，用于混合晶向基板中。