发明名称 金属用研磨液以及使用其之研磨方法
摘要 一种金属用研磨液以及使用此液之研磨方法,可产生高Cu研磨速度、可高平坦化、并减低研磨后在被研磨面所残留之研磨粒子。该金属用研磨液包括研磨粒子及化学成分。由上述化学成分所产生之反应层或吸附层或两者之混合层位于该金属用研磨液之研磨对象的被研磨金属上。而反应层或吸附层或两者之混合层之表面电位的电荷与上述研磨粒子所具有之表面电位的电荷有相同极性。
申请公布号 TWI276171 申请公布日期 2007.03.11
申请号 TW094111452 申请日期 2005.04.12
申请人 日立化成工业股份有限公司 发明人 野村豊;寺崎裕树;小野裕;上方康雄
分类号 H01L21/304(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种金属用研磨液,系含有研磨粒子及一化学成 分之一金属用研磨液,由上述化学成分所产生之一 反应层或一吸附层或两者之一混合层位于该金属 用研磨液之研磨对象的被研磨金属上,而反应层或 吸附层或两者之混合层之表面电位的电荷与上述 研磨粒子所具有之表面电位的电荷有相同极性。 2.一种金属用研磨液,系含有研磨粒子之一金属用 研磨液,上述研磨粒子之表面电位的电荷与该金属 用研磨液之研磨对象的一被研磨金属之表面电位 之电荷为同符号。 3.如申请专利范围第1项所述之金属用研磨液,其中 该反应层或该吸附层或该些之该混合层的表面电 位(mV)与该研磨粒子之表面电位(mV)的积为1~10000。 4.如申请专利范围第2项所述之金属用研磨液,其中 该被研磨金属之表面电位(mV)与该研磨粒子之表面 电位(mV)的积为1~10000。 5.如申请专利范围第1项至第4项中之任一项所述之 金属用研磨液,其中该研磨粒子之一次粒径在200nm 以下。 6.如申请专利范围第1项至第4项中之任一项所述之 金属用研磨液,其中该研磨粒子加以会合,其会合 之二次粒径在200nm以下。 7.如申请专利范围第1项至第4项中之任一项所述之 金属用研磨液,其中该研磨粒子之掺合量为0.001~10 重量%。 8.如申请专利范围第1项至第4项中之任一项所述之 金属用研磨液,其中该研磨粒子系为胶态矽石及胶 态矽石类之至少一方。 9.如申请专利范围第1项至第4项中之任一项所述之 金属用研磨液,其Ph値为2.0~7.0。 10.如申请专利范围第1项至第4项中之任一项所述 之金属用研磨液,其中该金属用研磨液之研磨对象 的该被研磨金属系从铜、铜合金、铜之氧化物及 铜合金之氧化物所构成的族群加以选择之至少一 种。 11.一种研磨方法,系一面在一研磨台盘之一研磨布 上供给如申请专利范围第1项至第10项中之任一项 所述之金属用研磨液,以使具有一被研磨膜之一基 板按压于一研磨布的状态下,一面藉由使该研磨台 盘与该基板相对移动加以研磨该被研磨膜。 图式简单说明: 图1系表示实施例1、实施例2、比较例1之研磨速度 (左轴、实线)及碟状(右轴、虚线)与,R*A(被研磨金 属及研磨粒子之各表面电位(mV)之积)之关系的图 。
地址 日本
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