| 主权项 |
1.一种偏光板,其包含有: a)一偏光薄膜;以及 b)一包含有环烯烃基加成聚合物的透明薄膜保护 层,该环烯烃基加成聚合物是由以下所构成之族群 中所选出的至少一种: i)一种以下列化学式1表示之化合物的均聚物;以及 ii)一种以下列化学式1所表示之化合物其中二种或 以上的化合物的共聚物: [化学式1] 其中m是个0到4的整数; R1,R2,R3,和R4各是或同时是个氢基;卤基;具有1到20个 碳原子的的线性或支化烷基、烯基、或乙烯基;以 或未以烃基取代的具有4到20个碳原子的环烷基;以 或未以烃基取代的具有6到40个碳原子的芳香基;以 或未以烃基取代的具有7到15个碳原子的芳香烷基; 具有3到20个碳原子的炔基;或者系为 一极性官能基,其系自具有1到20个碳原子之线性或 支化卤烷基、卤烯基、或卤乙烯基;以或未以烃基 取代的具有4到12个碳原子的卤环烷基;以或未以烃 基取代的具有6到40个碳原子的卤芳香基;以或未以 烃基取代的具有7到15个碳原子的卤芳香烷基;具有 3到20碳原子的卤炔基;以及含有氧基、氮基、磷基 、硫基、矽基、或硼基其中至少一种的非烃极性 基所构成之群组中选出者; 如果R1,R2,R3,和R4不是氢基、卤基、或极性官能基, 那麽R1与R2或R3与R4可彼此连接而形成一个具有1到 10个碳原子的次烷基,或者R1或R2可连接到R3与R4其 中之一而形成一个具有4到12个碳原子的饱和或不 饱和环基,或者一个具有6到24个碳原子的芳香基环 状化合物。 2.如申请专利范围第1项所述之偏光板,其中该透明 薄膜系为一种负C-板型薄膜。 3.如申请专利范围第1项所述之偏光板,其中该透明 薄膜系层合于该偏光薄膜的至少一边。 4.如申请专利范围第1项所述之偏光板,其中该保护 层系为该透明薄膜的一层,该透明薄膜系层合于该 偏光薄膜的至少一边。 5.如申请专利范围第1项所述之偏光板,其中在该透 明薄膜厚度为30到200m时,该透明薄膜具有以下列 方程式计算所得、范围在60到1000nm的阻滞値(Rth): Rth=(ny-nz)d 其中,ny是在550nm波长所量测的平面快轴向折射率; nz是在550nm波长所量测的朝着厚度方向的折射率; 以及 d是该薄膜厚度。 6.如申请专利范围第1项所述之偏光板,其中该化学 式1的非烃极性基系自下列所构成之族群中选用者 : -C(O)OR6, -R5C(O)OR6, -OR6, -R5OR6, -OC(O)OR6, -R5OC(O)OR6, -C(O )R6, -R5C(O)R6, -OC(O)R6, -R5OC(O)R6, -(R5O)p-OR6, -(OR5)p-OR6, -C(O)-O-C(O)R6, -R5C(O)-O-C(O)R6, -SR6, -R5SR6, -SSR6, -R5SSR6, -S(=O)R6, -R5S(=O)R6, -R5C(=S)R6, -R5C(=S)SR6, -R5SO3R6, -SO3R6, -R5N=C=S, -NCO, R5-NCO, -CN, -R5CN, -NNC(=S)R6, -R5NNC(=S)R6, - NO2, -R5NO2, 其中,各个R5是具有1到20个碳原子的的线性或支化 烷基、卤烷基、烯基、卤烯基、乙烯基、或卤乙 烯基;以或未以烃基取代的具有4到12个碳原子的环 烷基或卤环烷基;以或未以烃基取代的具有6到40个 碳原子的芳香基或卤芳香基;以或未以烃基取代的 具有7到15个碳原子的芳香烷基或卤芳香烷基;或具 有3到20个碳原子的炔基或卤炔基; R6,R7,和R8各是个氢基;卤基;具有1到20个碳原子的线 性或支化烷基、卤烷基、烯基、卤烯基、乙烯基 、卤乙烯基、烷氧基、卤烷氧基、羰氧基、卤羰 氧基;以或未以烃基取代的具有4到12个碳原子的环 烷基或卤环烷基;以或未以烃基取代的具有6到40个 碳原子的芳香基、卤芳香基、芳香氧基、或卤芳 香氧基;以或未以烃基取代的具有7到15个碳原子的 芳香烷基或卤芳香烷基;或具有3到20个碳原子的烘 基或卤炔基;以及 p是个1到10的整数。 7.如申请专利范围第1项所述之偏光板,其中该环烯 烃基加成聚合物系为一种含有极性官能基之降冰 片烯基单体的均聚物,或者系为一种含有不同极性 官能基之降冰片烯基单体的共聚物。 8.如申请专利范围第1项所述之偏光板,其中该环烯 烃基加成聚合物系为一种含有非极性官能基之降 冰片烯基单体与含有极性官能基之降冰片烯基单 体的共聚物。 9.如申请专利范围第1项所述之偏光板,其中该透明 薄膜包含有一种或以上的环烯烃基加成聚合物的 掺混物。 10.如申请专利范围第1项所述之偏光板,其中该环 烯烃基加成聚合物系以存在有第10类过渡金属触 媒时对降冰片烯基单体进行加成聚合的方法制备 者。 11.如申请专利范围第1项所述之偏光板,其中该环 烯烃基加成聚合物,系以包含有一个使具有极性官 能基之降冰片烯基单体与一触媒系统成分接触的 步骤的制备方法制备者,该触媒系统成分包含有: i)一种第10类过渡金属化合物之触媒成分; ii)一种有机化合物之共触媒成分,其包含有第15类 元素且具有可供当作电子施体之未共用电子对;以 及 iii)一种盐类之共触媒成分,其包含有第13类元素且 能提供一能被弱配位到前述之过渡金属的阴离子 。 12.如申请专利范围第1项所述之偏光板,其中该偏 光板包含有一由具有酯基或乙醯基极性官能基之 环烯烃基加成聚合物所制备的透明光学薄膜,该环 烯烃基加成聚合物的制备方法包含有一个使具有 酯基或乙醯基之极性官能基的降冰片烯基单体与 一触媒系统成分接触以影响加成聚合反应的步骤, 其中该触媒系统成分包含有: i)一种第10类过渡金属化合物; ii)一种具有至少160锥角且包含有中性第15类电子 施体配位基的化合物;以及 iii)一种能供应一阴离子而可与前述i)之过渡金属 弱配位的盐类。 13.如申请专利范围第1项所述之偏光板,其中该透 明薄膜系以溶液铸造法制备,该溶液铸造法包括将 环烯烃基加成聚合物溶解于一溶剂中,再使该溶液 铸造成一薄膜的步骤。 14.如申请专利范围第1项所述之偏光板,其中该透 明薄膜上可进行从电晕放电、辉光放电、火焰处 理、酸处理、硷处理、紫外线照射、和表面披覆 处理所构成之群组中所选用之一种或以上的表面 处理。 15.一种一致化的偏光板,包含有一层合于一偏光薄 膜之至少一边上的光学异向性透明薄膜,该光学异 向性透明薄膜具有以下列方程式1计算所得、范围 在60到1000nm的阻滞値(Rth),且具有范围1到1.05之间的 相位差比(R450/R550),以及范围0.95到1之间的相位差 比(R650/R550);其中R450是波长450nm时的相位差,R550是 波长550nm时的相位差,而R650则是波长650nm时的相位 差; [方程式1] Rth=(ny-nz)d 其中ny是在550nm波长所量测的平面快轴向折射率; nz是在550nm波长所量测的朝着厚度方向的折射率; 以及 d是薄膜厚度。 16.如申请专利范围第15项所述之一致化的偏光板, 其中该光学异向性透明薄膜在400到800nm波长之范 围内具有至少90%的光透射率。 17.如申请专利范围第15项所述之一致化的偏光板, 其中该光学异向性透明薄膜含有环烯烃基加成聚 合物。 18.如申请专利范围第15项所述之一致化的偏光板, 其中该光学异向性透明薄膜厚度为30到200m时,该 光学异向性透明薄膜具有以下列方程式1计算所得 、范围在60到1000nm的阻滞値(Rth)。 [方程式1] Rth=(ny-nz)d 其中ny是在550nm波长所量测的平面快轴向折射率; nz是在550nm波长所量测的朝着厚度方向的折射率; 以及 d是薄膜厚度。 19.如申请专利范围第15项所述之一致化的偏光板, 其中该光学异向性透明薄膜具有满足nx ny>nz条件 的折射率,其中nx为平面慢轴向的折射率,ny为平面 快轴向的折射率,而nz为朝着厚度方向的折射率。 20.如申请专利范围第15项所述之一致化的偏光板, 其中该偏光板同时展现出作为一用于光学补偿的 负C板以及一偏光板的功能者。 21.一种用以制备如申请专利范围第1项或15项所述 之偏光板的制备方法,该方法包括下列步骤: a)对降冰片烯基单体进行加成聚合,以制备一降冰 片烯基加成聚合物; b)使该降冰片烯基加成聚合物溶解于一溶剂中,以 制备一降冰片烯基加成聚合物溶液; c)将该降冰片烯基加成聚合物溶液涂布或铸造到 一硬质表面上,并使其乾燥;以及 d)将该铸造薄膜层合于一偏光薄膜上。 22.如申请专利范围第21项所述之制备方法,其中该 铸造薄膜上系先进行从电晕放电、辉光放电、火 焰处理、酸处理、硷处理、紫外线照射、和表面 披覆处理所构成之群组中所选用之表面处理后,再 进行步骤d)中的层合步骤者。 23.如申请专利范围第21项所述之制备方法,其中该 偏光板包含一种设置于该偏光薄膜一边或两边上 的保护层。 24.一种液晶显示器,包含有如申请专利范围第1到 第20项其中任何一项所述之偏光板;且该液晶显示 器包含有液晶单元模式,当该液晶显示器开启或关 掉电源时,其液晶层具有满足nx-=ny<nz条件的折射率 ,其中nx为平面慢轴向的折射率,ny为平面快轴向的 折射率,而nz为朝着厚度方向的折射率。 |
