| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：在形成于衬底上的层间绝缘膜上形成含铜导电层，使得其表面被暴露；在所述导电层的表面上利用主要由氢构成的还原气体进行热处理；在所述导电层的表面上利用还原气体进行等离子体处理，由此允许所述导电层的表面被还原且允许通过所述热处理而吸收的氢被释放；以及形成覆盖所述导电层的表面的抗氧化膜，使得在所述等离子体处理之后所述导电层的表面不被暴露于含氧气氛气体。 | ||
| 申请公布号 | CN1925133A | 申请公布日期 | 2007.03.07 |
| 申请号 | CN200610121689.9 | 申请日期 | 2006.08.28 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 河浪孝二;田渕清隆 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/321(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，其包括如下步骤：在形成于衬底上的层间绝缘膜上形成含铜导电层，使得其表面被暴露；在所述导电层的表面上利用主要由氢构成的还原气体进行热处理；在所述导电层的表面上利用还原气体进行等离子体处理，由此允许所述导电层的表面被还原且允许通过所述热处理而吸收的氢被释放；以及形成覆盖所述导电层的表面的抗氧化膜，使得在所述等离子体处理之后所述导电层的表面不被暴露于含氧气氛气体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||