氮化钾等之III族氮化物之成膜方法

摘要

本发明系使用大气压电浆使GaN等之III族氮化物成膜。本发明以40 kPa左右接近大气压之纯氮填满反应器腔室12内。于电极14上载置c面蓝宝石基板90。藉由加热器15使基板温度达到650℃。于电极13、14间施加电场，形成放电空间11a。于气体供给系20中将微量三甲基镓添加至N2中，并供给至放电空间11a，使之接触蓝宝石基板90。使基板90上之V／III比达到10～100000。