制造一种非挥发记忆元件的方法

摘要

本发明在此所描述一种制造非挥发半导体记忆元件的方法，包含不用额外的幕罩来形成一子闸极。在此记忆元件的主闸极之上形成一金属矽化物可以提供一较低的字元线电阻值。在操作时，施加一电压至子闸极可以形成一作为位元线的短暂反转层，以消弭形成位元线所需的离子植入。